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，希望能为您带来实质性的帮助 。

取出内存,看编码，各厂商内存芯片编号

内存打假的方法除了识别内存标注格式外 ，还可以利用刻在内存芯片上的编号
。内存条上一般有多颗内存芯片
，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额 ，它们产的内存芯片质量稳定
，价格不高，另外市面上还流行LGS 、Kingmax
、金邦金条等内存 ，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号 。

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它
，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V ，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref
，64=64Mbits 、8K Ref，65=64Mbits
、4K Ref ，128=128Mbits、8K Ref
，129=128Mbits 、4K Ref，256=256Mbits
、16K Ref ，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40 、80、16
、32分别代表4位、8位 、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1
、2、3分别代表2个 、4个和8个Bank
，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A
、B、C 、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片 ，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ
，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕
，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕 ，10=10ns〔100MHz〕
，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）
。

例如HY57V658010CTC-10s ，HY表示现代的芯片
，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms ，8是8位输出
，10是2个Bank，C是第4个版本的内核 ，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装
，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX
、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz ，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定 。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100
，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产 ，改换为T-H这样的尾号
，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货 ，但可能性很小
，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存
。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼并 ，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits
，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4 、8
、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本 ，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗
，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕 ，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕
，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕 ，12=12ns〔83MHz〕
，15=15ns〔66MHz〕） 。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM ，64Mbit
，16位输出，4个Bank ，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS编号后缀中
，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM ，两者主要区别是第三个反应速度的参数上
，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的 ，速度极慢，由于与7J/7K外型相似
，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖
。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存 ，其大小是TSOP封装内存的三分之一
，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小 、更薄 ，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm
，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性 ，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好
，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机 。

Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133
、PC100三种
。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题 ，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时
，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存 ，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰
，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等 ，看看芯片上的编号 。

KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒
，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133 ，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的
，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）
。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133 ，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为'金 、红
、绿、银 、蓝'五种内存条
，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板 。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统 ，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板
，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存
。

金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS ，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度
，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位 ，无字母=Bits
，K=KB，M=MB ，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ
，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA ，FB=60针8*16 FBGA
，FC=60针11*13

FBGA，FP=反转芯片封装 ，FQ=反转芯片密封
，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA ，LF=90针FBGA，LG=TQFP
，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA ，TG=TSOP（第二代）
，U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB ，TSOP（第二代）封装
，0.2微米3.3V

Vdd CMOS制造工艺，7ns
、143MHz速度 。

（5）SEC（Samsung Electronics ，三星）

三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4 、8=x8
、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx 、512(514) = 512Kx
、1 = 1Mx、4 = 4Mx 、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代
、A=第2代、B=第3代 、C=第4代
、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存
。

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8 、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M
、2 = 2M、4 = 4M 、8 = 8M
、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K 、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排
、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代 、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新
、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz] 、10 = 10ns[100 MHz]
、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下
，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量 ，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片
，刷新为8K，内存Banks为3 ，内存接口LVTTL，第2代内存
，自动刷新，速度是10ns(100 MHz) 。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4 、8=x8
、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V] 、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M
、8 = 8M、16 = 16M 、32 = 32M
、64 = 64M、12 = 128M 、25 = 256M、51 = 512M
、1G = 1G、2G = 2G 、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]
、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs] 、3 = 64m/8K[7.8μs]
、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V) 、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ
、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps) 、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)
、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps) 、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片 ，3.3V DDR SDRAM
，刷新时间0 = 64m/4K (15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排） ，接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)
，封装类型66针TSOP

Ⅱ，速度133MHZ
。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16
、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M 、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA
、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps 、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M ，BGA封装
，速度800Mbps 。

（6）Micron（美光）

Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j

其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM
、4=DRAM、46=DDR SDRAM 、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS ，LC=3.3V Vdd CMOS
，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits ，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB）
，G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4
、8、16 、32分别代表4位
、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ ，DW=宽型SOJ
，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA ，FC=60针11*13 FBGA
，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封 ，F1=62针2行FBGA
，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA ，LG=TQFP
，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA ，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度
，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40ns，-5=50ns ，-6=60ns
，-7=70ns

SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）

-15=66MHz ，-12=83MHz
，-10+=100MHz，-8x+=125MHz ，-75+=133MHz
，-7x+=143MHz，- 65=150MHz ，-6=167MHz
，-55=183MHz，-5=200MHz

DDR SDRAM（x4 ，x8，x16）时钟率 @ CL=2.5

-8+=125MHz
，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）Rambus（时钟率）

-4D=400MHz 40ns ，-4C=400MHz 45ns
，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns ，-3B=356MHz 50ns
，-3M=300MHz 53ns

+的含义

-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）

-75支持PC66 、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）

-7支持PC66
、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）

-7E支持PC66 、PC100（CL2和CL3）
、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）

-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）

-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2） ，PC266A（CL=2.5）
。

例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM
，16M8=16*8MB=128MB，133MHz

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8 、16
、32分别代表4位、8位 、16位
、32位 ，当数据位宽为16位和32位时
，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片 ，则为两位，第2位双重含义
，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下 ，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHz CL 3〕
，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns较10慢 ，Tac为7
，不完全符合PC100规范，12=12ns ，70=[PC133]
，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ；JH=86-pin TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80 、16分别代表4位
、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗 ，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕
，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕 ，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3） 。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量，gh是速度（6=166MHz
，7=143MHz，7.5=133MHz ，8=125MHz
，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66规格〕）
。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM ，R=Rambus SDRAM
，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04 、08、16
、32分别代表4位、8位 、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗 ，空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕
，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10 ，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40
、80、16分别代表4 、8
、16位）；C代表功耗（P=低功耗
，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕 ， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕
，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ ，10=10NS〔100MHz〕 。

本文已完

取出内存,看编码
，各厂商内存芯片编号

内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号
。内存条上一般有多颗内存芯片 ，内存芯片因为生产厂家的不同
，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定 ，价格不高
，另外市面上还流行LGS、Kingmax 、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号 。

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好 ，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它
，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V ，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits
、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref
，65=64Mbits 、4K Ref，128=128Mbits
、8K Ref ，129=128Mbits、4K Ref
，256=256Mbits 、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40
、80、16 、32分别代表4位
、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1 、2
、3分别代表2个、4个和8个Bank ，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A 、B
、C、D等字母
，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ ，TC=400mil TSOP-Ⅱ
，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕 ，8=8ns〔125MHz〕
，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕 ，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕
，15=5ns〔66MHz〕）
。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片 ，57代表SDRAM
，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出 ，10是2个Bank
，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装 ，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX 、HY57V651XXXXXATC10
，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7
、-10p的SDRAM上133MHz很稳定 。一般来讲 ，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100
，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产 ，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多
，这可能是以前的屯货，但可能性很小 ，假货的可能性较大
，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见
。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits ，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8 、16等)；e代表Bank（2=2个Bank
，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗 ，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装
，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕 ，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕
，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕 ，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K
，表示LGs SDRAM，64Mbit ，16位输出
，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3 。

LGS编号后缀中 ，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存
，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上 ，7K比7J的要快
，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢 ，由于与7J/7K外型相似
，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖
。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存 ，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍
，而且体积要小
、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm ，线路阻抗也小
，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好 ，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机 。

Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133 、PC100三种
。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条
，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时 ，你要注意别买了打磨条
，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度 ，注意观察内存上字迹是否清晰
，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等 ，看看芯片上的编号 。

KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升
，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的 ，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08）
，部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）
。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。

（4）Geil(金邦
、原樵风金条)

金邦金条分为'金、红 、绿
、银、蓝'五种内存条 ，各种金邦金条的SPD均是确定的
，对应不同的主板 。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板 ，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存
。

金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装
，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS ，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度
，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位 ，无字母=Bits，K=KB
，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ ，DW=宽型SOJ
，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA ，FC=60针11*13

FBGA
，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封 ，F1=62针2行FBGA
，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA ，LG=TQFP
，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA ，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条
，128MB，TSOP（第二代）封装 ，0.2微米3.3V

Vdd CMOS制造工艺
，7ns 、143MHz速度 。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]
、4=x4、8=x8 、16=x16）；C代表电压（C=5V
、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx 、1 = 1Mx、4 = 4Mx
、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代 、A=第2代
、B=第3代、C=第4代 、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4
、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M 、2 = 2M
、4 = 4M、8 = 8M 、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K
、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排 、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代
、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新 、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]
、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz] 、H = 100 MHz @ CAS值为2
、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）
。三星的容量需要自己计算一下 ，方法是用'S'后的数字乘S前的数字
，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片 ，刷新为8K
，内存Banks为3，内存接口LVTTL ，第2代内存
，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8 、16=x16
、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M 、8 = 8M
、16 = 16M、32 = 32M 、64 = 64M、12 = 128M
、25 = 256M、51 = 512M 、1G = 1G
、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs] 、1 = 32m/2K [15.6μs]
、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs] 、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排
、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ 、B=BGA
、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps) 、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)
、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)） 。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片 ，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64m/4K (15.6μs)
，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V) ，封装类型66针TSOP

Ⅱ
，速度133MHZ
。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16 、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M
、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA 、D =微型BGA [逆转CSP]
、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装 ，速度800Mbps 。

（6）Micron（美光）

Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条）
，其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j

其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM 、4=DRAM
、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS ，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度）
，无字母=Bits，K=Kilobits（KB） ，M=Megabits（MB）
，G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4 、8
、16、32分别代表4位 、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA
，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA ，FP=反转芯片封装
，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA ，F2=84针2行FBGA
，LF=90针FBGA，LG=TQFP ，R1=62针2行微型FBGA
，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗 ，空白=普通）；hj代表速度
，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40ns，-5=50ns ，-6=60ns，-7=70ns

SDRAM
，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）

-15=66MHz，-12=83MHz ，-10+=100MHz
，-8x+=125MHz，-75+=133MHz ，-7x+=143MHz
，- 65=150MHz，-6=167MHz ，-55=183MHz
，-5=200MHz

DDR SDRAM（x4，x8 ，x16）时钟率 @ CL=2.5

-8+=125MHz
，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）Rambus（时钟率）

-4D=400MHz 40ns ，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns
，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns ，-3M=300MHz 53ns

+的含义

-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）

-75支持PC66
、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）

-7支持PC66 、PC100（CL2和CL3）
、PC133（CL2和CL3）

-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3） 、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）

-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）

-7支持PC200（CL2）
，PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）
。

例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM ，16M8=16*8MB=128MB
，133MHz

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4
、8、16 、32分别代表4位
、8位、16位 、32位，当数据位宽为16位和32位时 ，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank
，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位 ，第2位双重含义
，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下 ，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕
，10B=10ns较10慢，Tac为7 ，不完全符合PC100规范
，12=12ns，70=[PC133] ，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ；JH=86-pin TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM
，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40
、80、16分别代表4位 、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕 ，80=8ns〔125MHz〕
，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3） 。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量 ，gh是速度（6=166MHz
，7=143MHz，7.5=133MHz ，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕
，10=100MHz〔PC66规格〕）
。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM ，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb
，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04
、08、16 、32分别代表4位
、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕 ，80=8ns〔125MHz〕
，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40 、80
、16分别代表4、8 、16位）；C代表功耗（P=低功耗 ，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns〔147MHz〕
，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕 ，360或322=10ns〔PC100 CL3〕
，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ ，10=10NS〔100MHz〕 。